記憶装置及び半導体装置

Memory device and semiconductor device

Abstract

【課題】オーバーヘッド電力を低減できる記憶装置の提供。【解決手段】電源電圧が供給されている第1期間において、データを保持する第1回路と、上記第1期間において、上記第1回路に保持されている上記データを退避させて、上記電源電圧が供給されていない第2期間において、上記第1回路から退避させた上記データを保持する第2回路と、上記第2期間において、上記第2回路に保持されている上記データを退避させて、上記電源電圧が供給されていない第3期間において、上記第2回路から退避させた上記データを保持する第3回路と、を有し、上記第3回路は、チャネル形成領域が酸化物半導体膜に設けられるトランジスタと、上記データに対応した電位が上記トランジスタを介して供給される容量素子とを有する。【選択図】図1
【課題】オーバーヘッド電力を低減できる記憶装置の提供。 【解決手段】電源電圧が供給されている第1期間において、データを保持する第1回路と、上記第1期間において、上記第1回路に保持されている上記データを退避させて、上記電源電圧が供給されていない第2期間において、上記第1回路から退避させた上記データを保持する第2回路と、上記第2期間において、上記第2回路に保持されている上記データを退避させて、上記電源電圧が供給されていない第3期間において、上記第2回路から退避させた上記データを保持する第3回路と、を有し、上記第3回路は、チャネル形成領域が酸化物半導体膜に設けられるトランジスタと、上記データに対応した電位が上記トランジスタを介して供給される容量素子とを有する。 【選択図】図1
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a memory device capable of reducing overhead power.SOLUTION: The memory device comprises: a first circuit having a function to store data in a first period when power supply voltage is supplied thereto; a second circuit having a function to save the data stored in the first circuit in the first period, and to store the data saved from the first circuit in a second period when supply of the power supply voltage is interrupted; and a third circuit having a function to save the data stored in the second circuit in the second period, and to store the data saved from the second circuit in a third period when supply of the power supply voltage is interrupted. The third circuit has a transistor in which a channel formation region is arranged on an oxide semiconductor film; and a capacitive element in which an electric potential corresponding to the data is supplied thereto through the transistor.

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Patent Citations (5)

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    JP-2013009297-AJanuary 10, 2013Semiconductor Energy Lab Co Ltd, 株式会社半導体エネルギー研究所Memory element, memory device, and signal processing circuit
    JP-2013009308-AJanuary 10, 2013Semiconductor Energy Lab Co Ltd, 株式会社半導体エネルギー研究所信号処理回路
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