Method of manufacturing p-type semiconductor zink oxide film, and method of pulse laser deposition using transparent substrate

p型半導体酸化亜鉛膜の製造方法、及び透明基板を使用したパルスレーザ堆積方法

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To disclose a p-type semiconductor zinc oxide (ZnO) film, and a method of manufacturing the film.SOLUTION: The film is simultaneously added with phosphorus (P) and lithium (Li). A light path of a pulse laser is arranged so that the pulse laser comes in a substrate from the rear side of the substrate, passes through the substrate and condenses on a target. The substrate is subject to translation movement toward the target, and this arrangement enables deposition of a fine pattern using an ablation plume route. The ablation plume route is present in a one-dimensional transition stage along a normal vector of the target before an angle width of the plume expands in three-dimensional adiabatic expansion. A fine film deposition pattern having a size similar to a laser condensation spot is thus obtained, and a new method of direct film deposition on a patterned material is obtained.
【課題】p型の半導体酸化亜鉛(ZnO)膜と、この膜の製造方法を開示する。 【解決手段】この膜は、リン(P)とリチウム(Li)で同時添加されている。パルスレーザの光路は、パルスレーザが基板の裏から入射して基板を通過し、ターゲット上に集光するように配置されている。基板をターゲットに向かって並進運動させ、この形状配置で、アブレーションプルームのルートを利用した微細パターンの付着が可能になる。又、このアブレーションプルームのルートは、プルームの角度幅が三次元断熱膨張によって膨張する以前の、ターゲットの法線ベクトルに沿った一次元遷移段階中に存在する。これにより、レーザ集光スポットの大きさと同等の微細な成膜パターンが得られ、パターン化した材料を直接成膜する新規の方法が得られる。 【選択図】図1

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